Модуль памяти OCZ OCZ2G800R21G

Модуль памяти OCZ OCZ2G800R21G

Главные особенности модуля памяти OCZ OCZ2G800R21G

DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240-контактный, 1×1 Гб, CL 4

Технические свойства модуля памяти OCZ OCZ2G800R21G

Дополнительная информация: напряжение питания 1.95-2.1В, поддержка технологии Extended Voltage Protection
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Объем: 1 модуль 1 Гб
Тип памяти: DDR2
Тактовая частота: 800 МГц
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Пропускная способность: 6400 Мб/с
CAS Latency (CL): 4
RAS to CAS Delay (tRCD): 5
Row Precharge Delay (tRP): 5
Activate to Precharge Delay (tRAS): 15
Радиатор: есть

Аналогичные записи: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.